BX-D2258型多功能數(shù)字式四探針測(cè)試儀

一、結(jié)構(gòu)特征

BX-D2258四探針儀器         配D2258-F01探頭測(cè)硅片         配D2258-F01測(cè)ITO膜

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

  BX-D2258型多功能數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試材料電阻率/方塊電阻的多用途、智能化綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器設(shè)計(jì)符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》等并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。

   2.2 儀器成套組成：由BX-D2258四探針主機(jī)、選配的四探針探頭、選配四探針測(cè)試臺(tái)等部分組成。

儀器特點(diǎn)：

1：本測(cè)試儀特增設(shè)測(cè)試結(jié)果自動(dòng)分類功能，最大分類10類。

2：可定制 USB通訊接口，便于其拓展為集成化測(cè)試系統(tǒng)中的測(cè)試模塊。

3：8檔位超寬量程。 同行一般為五到六檔位。

4: 儀器小型化、手動(dòng)/自動(dòng)一體化。

5: 儀器操作簡(jiǎn)便、性能穩(wěn)定，所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用數(shù)字化鍵盤輸入，簡(jiǎn)便而且免除模擬定位器的不穩(wěn)定。

2.4探頭選配：根據(jù)不同材料特性需要，探頭可有多款選配。詳情見《四探針探頭型號(hào)規(guī)格特征選型參照表》

1配高耐磨的碳化鎢探針探頭，如D2258-F01型，以測(cè)試硅等半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；

2配不傷膜的球形或平頭鍍金銅合金探針探頭，如D2258-F01型，可測(cè)金屬箔、碳紙等導(dǎo)電薄膜，也可測(cè)陶瓷、玻璃或PE膜等基底上導(dǎo)電涂層膜，如金屬鍍膜、噴涂膜、ITO膜、電容卷積膜等材料的薄膜涂層電阻率/方阻。

3配專用箔上涂層探頭，如D2258-F02型，也可測(cè)試鋰電池電池極片等箔上涂層電阻率/方阻。

4換上四端子測(cè)試夾具，還可對(duì)電阻器的體電阻進(jìn)行測(cè)量。。

2.5測(cè)試臺(tái)選配：根據(jù)不同材料特性需要，測(cè)試臺(tái)可有多款選配。詳情見《四探針測(cè)試臺(tái)型號(hào)規(guī)格特征選型參照表》

四探針法測(cè)試固體或薄膜材料選配SZT-A型或SZT-B型（電動(dòng)）或SZT-C型（快速恒壓）或SZT-F型（太陽能電池片）測(cè)試臺(tái)。

二探針法測(cè)試細(xì)長(zhǎng)棒類材料選配SZT-K型測(cè)試臺(tái).

平行四刀法測(cè)試橡塑材料選配SZT-G型測(cè)試臺(tái)。

   2.6適用范圍：儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、高等院校四探針法對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試。

技術(shù)參數(shù)：

測(cè)量范圍

1、電阻率：10^-6～2X10⁵ Ω .cm

2、方塊電阻：10^-5～1X10⁶ Ω /￡

3、電阻：10^-5～2X10⁶ Ω

2. 材料尺寸(由選配測(cè)試臺(tái)和測(cè)試方式?jīng)Q定)

直    徑： SZT-B/C/F方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm，手持方式不限

長(zhǎng)(高)度：  測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm,    手持方式不限.

測(cè)量方位:  軸向、徑向均可

3.3 量程劃分及誤差等級(jí)

注： 電流精度 ±0.1%

3.4 四探針探頭（選配其一或加配全部）

(1)碳化鎢探針：Φ0.5mm，直線探針間距1.0mm，探針壓力: 0～2kg 可調(diào)

(2)薄膜方阻探針：Φ0.7mm，直線或方形探針間距2.0mm，探針壓力: 0～0.6kg 可調(diào)

3.5. 電源

輸入: AC 220V±10% ,50Hz  功 耗：<20W

3.6.外形尺寸、重量：主   機(jī)： 220mm（長(zhǎng)）×245 mm（寬）×100mm（高），凈重：≤2.5kg